石墨（mò）盤定製

    GaN材料的研究（jiū）與應（yīng）用是目（mù）前全球半導體（tǐ）研究的前（qián）沿和熱點，是研製（zhì）微電（diàn）子器件、光電子器件的新型半導體材料。GaN材（cái）料的（de）製備（bèi）主要采用氣相（xiàng）外延生（shēng）長的方（fāng）法，石墨（mò）盤是外延生（shēng）長（zhǎng）GaN晶體的必備耗（hào）材。由於石墨材料在高溫、腐蝕（shí）性氣體環境下會發生腐蝕掉粉現象（xiàng），從而（ér）將（jiāng）粉體雜質引入到單（dān）晶材料中。因（yīn）此，塗覆（fù）高純度（dù）、均勻致（zhì）密（mì）的保護（hù）塗層是解決該問題的唯一方法（fǎ）。經（jīng）化（huà）學（xué）氣相沉積（jī）碳化矽塗（tú）層後的石墨盤具有耐高溫、抗氧化（huà）、純度高、耐酸堿鹽及（jí）有機試劑等特性，滿足高純度單晶（jīng）生長環境的需（xū）要，國外（wài）已將其作為一種新耗材在MOCVD外延生（shēng）長設備（bèi）上（shàng）大規模使用，但國內還沒有（yǒu）這（zhè）一相關的產品。

      國防科技大學從2000年開始，一直致力於化學（xué）氣相沉積碳化矽塗層製備技術應用研究，突破了碳化矽塗層製（zhì）備的各項（xiàng）關（guān）鍵技術，具（jù）備了大尺寸（直徑700mm）碳（tàn）化矽（guī）塗層（céng）製備能力，獲得國家發明專（zhuān）利授權1項。本實驗室製備的碳化（huà）矽塗層的特（tè）點是（shì）：（1）高溫抗（kàng）氧化：溫度高達1600℃時（shí）抗氧化性能仍然非常好；（2）純度（dù）高、均（jun1）勻、致密、顆粒細、無缺陷；（3）耐衝（chōng）刷；（4）抗腐蝕性：耐（nài）酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在石墨盤方麵具（jù）有很好的（de）推（tuī）廣應用前（qián）景（jǐng）。

     碳化矽塗（tú）層石墨盤是各（gè）半導體廠（chǎng）家必不（bú）可少的（de）耗材，目前（qián），該產（chǎn）品（pǐn）全部（bù）依（yī）賴（lài）進口，價格（gé）昂貴（guì），且受製於人。因此，本實驗室開（kāi）發（fā）的碳化矽塗層（céng）石墨盤技術一（yī）旦實現產業（yè）化，將對我國的（de）半導（dǎo）體行業具有重要（yào）的戰略意（yì）義（yì）和市場經（jīng）濟價值。